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中频感应加热设备采用的IGBT性能

作者: 发布时间:2014-11-17 浏览次数:350
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IGBT模块简介

  IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

  若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。

中频感应加热设备IGBT的主要优点有:

1.IGBT在正常工作时,导通电阻较低,增大了器件的电流容量。

2.IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。

2. 较宽的低掺杂漂移区(n-区)能够承受很高的电压,因而可以实现高耐压的器件。

3. IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。

4. 与MOSFET一样,IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容,则驱动功率低,开关速度高。

5.若把IGBT的p 漏极区分割为几个不同导电型号的区域(即再加进几个n 层),这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用,则还可进一步减小器件的导通电阻。

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